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碳化硅陶瓷的烧结工艺

点击次数:   更新时间:2020-08-30 10:33:08   分    享:
  碳化硅陶瓷烧结工艺主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结这四种。其作用如下:
  采用无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件,因此,被认为是SiC陶瓷的烧结方法。
  采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SiC部件,而且一次热烧结过程所制备的产品数量很小,因而,不利于商业化生产。
  采用热等静压工艺可以获得复杂形状的SiC制品,但对素坯进行包封,所以,也很难实现工业化生产。
  通过反应烧结工艺可以制备出复杂形状的SiC部件,而且其烧结温度较低,但是,反应烧结SiC陶瓷的高温性能较差。
  碳化硅陶瓷的性能因烧结法的不同而不同,下面就为大家分享下无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结中碳化硅陶瓷的性能。
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